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半导体储存电路的工作原理与半导体存储技术原理是紧密相关的，它们的基础都是半导体材料的特性。
半导体储存电路的工作原理主要涉及到对信息的存储和读取，这些信息被以二进制的形式（即电流的有无或者电压的高低）存储在半导体存储器中，当电源开启时，半导体材料中的电子会根据特定的条件（如电压或电流）移动，形成电流通路或者断开，从而代表不同的信息状态（如开/关、高/低），这些信息状态可以被用来表示存储的数据，在DRAM（动态随机访问存储器）中，晶体管作为开关控制电容的充放电，从而存储信息。
半导体存储技术原理主要涉及到的是半导体器件（如电容器、晶体管等）的物理特性，这些器件的特性使得它们可以存储和读取信息，闪存（Flash Memory）是一种非易失性存储器，它使用浮栅晶体管来存储电荷，写入操作通过改变浮栅上的电荷状态来实现，而读取操作则通过检测浮栅的电荷状态来完成，固态驱动器（SSD）也是基于半导体存储技术的一种存储设备，它使用闪存作为存储介质，并利用特殊的电路进行信息的读写。
随着技术的发展，新型的半导体存储技术如3DNAND闪存、嵌入式存储等正在不断发展，这些新技术利用更先进的制造工艺和更复杂的电路设计，以实现更高的存储密度和更快的读写速度，半导体储存电路和半导体存储技术都依赖于半导体材料的特性以及相关的物理和电子原理。
仅供参考，如需更多关于半导体储存电路及半导体存储技术原理的信息，建议咨询电子工程师或查阅相关书籍文献。